Аксід індыя

Апісанне

Аксід індыя В₂O₃або трыаксід індыя 99,99%, 99,995%, 99,999% і 99,9999%, мікрапарашок або наначасціцы светла-жоўтага цвёрдага парашка, CAS 1312-43-3, шчыльнасць 7,18 г/см³і плавіцца каля 2000°C, гэта ўстойлівы матэрыял, падобны на кераміку, які не раствараецца ў вадзе, але раствараецца ў гарачай неарганічнай кіслаце.Аксід індыя У₂O₃гэта паўправадніковы матэрыял n-тыпу з меншым удзельным супрацівам, больш высокай каталітычнай актыўнасцю і шырокай забароненай зонай для аптаэлектронных прымянення. Аксід індыя У₂O₃у Western Minmetals (SC) Corporation можа пастаўляцца з чысцінёй 99,99%, 99,995%, 99,999% і 99,9999% у памеры 2-10 мікрон або -100 меш парашок і нана класа, 1 кг упакаваны ў поліэтыленавую бутэльку з герметычным поліэтыленавым пакетам, або 1 кг, 2 кг 5 кг у кампазітным алюмініевым мяшку з кардоннай скрынкай звонку, або ў адпаведнасці з індывідуальнымі спецыфікацыямі для ідэальных рашэнняў.

Прыкладанні

Аксід індыя У₂O₃мае шырокае прымяненне ў фотаэлектрыцы, газавых датчыках, тонкаплёнкавых інфрачырвоных адбівальніках, прымяненні каталізатараў, спецыяльных каляровых дадатках для шкла, шчолачных батарэях і моцнаточных электрычных выключальніках і кантактах, ахоўным пакрыцці металічных люстэркаў і для паўправадніковых плёнак электрааптычных дысплей і т. У₂O₃з'яўляецца асноўным кампанентам мэты ITO для дысплеяў, энергаэфектыўных вокнаў і фотаэлектрыкі.Акрамя таго, У₂O₃з'яўляецца рэзістыўным элементам у мікрасхемах для фарміравання гетэрапераходаў з такімі матэрыяламі, як p-InP, n-GaAs, n-Si і іншымі паўправаднікамі.Між тым, маючы павярхоўны эфект, невялікі памер і макраскапічны эфект квантавага тунэлявання,Nano In₂O₃прызначаны ў першую чаргу для аптычных і антыстатычных пакрыццяў, нанясення празрыстых токаправодных пакрыццяў.

Запыт зараз

Дэталі

Тэгі

Тэхнічныя характарыстыкі

In₂O₃

Знешні выгляд	Жаўтлявы парашок
Малекулярная маса	277,63
Шчыльнасць	7,18 г/см³
Тэмпература плаўлення	2000°C
нумар CAS	1312-43-2

няма	Пункт		Стандартная спецыфікацыя
1	Чысціня У₂O₃≥		Прымешка (справаздача аб выпрабаванні ICP-MS PPM Макс. кожны)
2	4N	99,99%	Cu/Al 20, Ti 3,0, Pb 4,0, Sn 7,0, Cd 8,0, Fe 15	Усяго ≤100
	4N5	99,995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1,0, Si 2,0, Fe/Ca 5,0	Усяго ≤50
	5N	99,999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Усяго ≤10
	6N	99,9999%	Даступны па запыце	Усяго ≤1,0
3	Памер		Парашок 2-10 мкм для чысціні 4N 5N5 5N, парашок -100 меш для чысціні 6N
4	Ўпакоўка		1 кг у поліэтыленавай бутэльцы з закрытым поліэтыленавым пакетам звонку

Аксід індыя У₂O₃ або триоксид індыя У₂O₃у Western Minmetals (SC) Corporation можа быць пастаўлены з чысцінёй 99,99%, 99,995%, 99,999% і 99,9999% 4N 4N5 5N 6N памерам 2-10 мікрон або -100 меш парашок і нана класа, 1 кг упакаваны ў поліэтыленавую бутэльку з запячатаны поліэтыленавы пакет, затым кардонная скрынка звонку, або ў адпаведнасці з індывідуальнымі спецыфікацыямі для ідэальных рашэнняў.

Аксід індыя У₂O₃мае шырокае прымяненне ў фотаэлектрыцы, газавых датчыках, тонкаплёнкавых інфрачырвоных адбівальніках, прымяненні каталізатараў, спецыяльных каляровых дадатках для шкла, шчолачных батарэях і моцнаточных электрычных выключальніках і кантактах, ахоўным пакрыцці металічных люстэркаў і для паўправадніковых плёнак электрааптычных дысплей і т. У₂O₃з'яўляецца асноўным кампанентам мэты ITO для дысплеяў, энергаэфектыўных вокнаў і фотаэлектрыкі.Акрамя таго, У₂O₃з'яўляецца рэзістыўным элементам у мікрасхемах для фарміравання гетэрапераходаў з такімі матэрыяламі, як p-InP, n-GaAs, n-Si і іншымі паўправаднікамі.Між тым, Маючы павярхоўны эфект, невялікі памер і макраскапічны эфект квантавага тунэлявання, Nano In₂O₃прызначаны ў першую чаргу для аптычных і антыстатычных пакрыццяў, нанясення празрыстых токаправодных пакрыццяў.