Арсенід галію GaAs

Апісанне

арсенід галіюGaAs гэта паўправаднік з прамой забароненай зонай групы III-V, сінтэзаваны як мінімум 6N 7N галіем высокай чысціні і элементам мыш'яку, а таксама вырашчаны крышталь працэсам VGF або LEC з полікрышталічнага арсеніду галію высокай чысціні, выгляд шэрага колеру, кубічныя крышталі са структурай цынкавай абманкі.З даданнем вугляроду, крэмнію, тэлуру або цынку для атрымання n-тыпу або p-тыпу і паўізаляцыйнай праводнасці адпаведна цыліндрычны крышталь InAs можа быць нарэзаны і выраблены ў нарыхтоўку і пласціну ў выразаным, вытраўленым, паліраваным або эпілягічным выглядзе. - гатовы да эпітаксійнага росту MBE або MOCVD.Пласціна арсеніду галію ў асноўным выкарыстоўваецца для вырабу электронных прылад, такіх як інфрачырвоныя святлодыёды, лазерныя дыёды, аптычныя вокны, палявыя транзістары, лінейныя лічбавыя мікрасхемы і сонечныя элементы.Кампаненты GaAs карысныя ў звышвысокіх радыёчастотах і ў прыкладаннях хуткага электроннага пераключэння, узмацненні слабага сігналу.Акрамя таго, падкладка з арсеніду галію з'яўляецца ідэальным матэрыялам для вытворчасці радыёчастотных кампанентаў, мікрахвалевай частоты і маналітных мікрасхем, а таксама святлодыёдных прылад у аптычных сістэмах сувязі і кіравання дзякуючы сваёй насычаючай мабільнасці, высокай магутнасці і тэмпературнай стабільнасці.

Дастаўка

Арсенід галію GaAs у Western Minmetals (SC) Corporation можа пастаўляцца ў выглядзе полікрышталічнага кавалка або монакрышталічнай пласціны ў выразаных, вытраўленых, паліраваных або гатовых да эпіпласцін памерам 2” 3” 4” і 6” (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) дыяметрам, з p-тыпам, n-тыпам або паўізаляцыйнай праводнасцю і арыентацыяй <111> або <100>.Індывідуальныя спецыфікацыі - гэта ідэальнае рашэнне для нашых кліентаў па ўсім свеце.

Запыт зараз

Дэталі

Тэгі

Тэхнічныя характарыстыкі

арсенід галію

GaAs

Арсенід галію GaAsпласціны ў асноўным выкарыстоўваюцца для вырабу электронных прылад, такіх як інфрачырвоныя святлодыёды, лазерныя дыёды, аптычныя вокны, палявыя транзістары FETs, лінейныя лічбавыя мікрасхемы і сонечныя элементы.Кампаненты GaAs карысныя ў звышвысокіх радыёчастотах і ў прыкладаннях хуткага электроннага пераключэння, узмацненні слабага сігналу.Акрамя таго, падкладка з арсеніду галію з'яўляецца ідэальным матэрыялам для вытворчасці радыёчастотных кампанентаў, мікрахвалевай частоты і маналітных мікрасхем, а таксама святлодыёдных прылад у аптычных сістэмах сувязі і кіравання дзякуючы сваёй насычаючай мабільнасці, высокай магутнасці і тэмпературнай стабільнасці.

няма	Прадметы	Стандартная спецыфікацыя
1	Памер	2"	3"	4"	6"
2	Дыяметр мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Метад росту	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Тып праводнасці	N-тып/Si або тэл, P-тып/цынк, паўізаляцыйныя/нелегаваныя
5	Арыентацыя	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Таўшчыня мкм	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Арыентацыя Плоскі мм	17±1	22±1	32±1	Выемка
8	Ідэнтыфікацыя Плоскі мм	7±1	12±1	18±1	-
9	Удзельнае супраціўленне Ω-см	(1-9)E(-3) для p-тыпу або n-тыпу, (1-10)E8 для паўізаляцыйных
10	Рухомасць см2 / супраць	50-120 для p-тыпу, (1-2,5)E3 для n-тыпу, ≥4000 для паўізаляцыйных
11	Канцэнтрацыя носьбіта см-3	(5-50)E18 для p-тыпу, (0,8-4)E18 для n-тыпу
12	TTV мкм макс	10	10	10	10
13	Лук мкм макс	30	30	30	30
14	Дэфармацыя мкм макс	30	30	30	30
15	ЭПД см-2	5000	5000	5000	5000
16	Аздабленне паверхні	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Ўпакоўка	Адзін кантэйнер для вафель, запячатаны ў алюмініевы кампазітны пакет.
18	Заўвагі	Пласціны GaAs механічнага класа таксама даступныя па запыце.

Лінейная формула	GaAs
Малекулярная маса	144,64
Крышталічная структура	Цынкавая сумесь
Знешні выгляд	Шэрае крышталічнае рэчыва
Тэмпература плаўлення	1400°C, 2550°F
Кропка кіпення	Н/Д
Шчыльнасць пры 300K	5,32 г/см³
Энергетычны разрыў	1,424 эВ
Уласнае супраціўленне	3,3E8 Ω-см
Нумар CAS	1303-00-0
Нумар EC	215-114-8

Арсенід галію GaAsкарпарацыя Western Minmetals (SC) можа пастаўляцца ў выглядзе полікрышталічных кавалкаў або монакрышталічных пласцін у выразаных, вытраўленых, паліраваных або гатовых да эпі-пласцін памерам 2” 3” 4” і 6” (50 мм, 75 мм, 100 мм). , 150 мм) дыяметрам, з p-тыпам, n-тыпам або паўізаляцыйнай праводнасцю і арыентацыяй <111> або <100>.Індывідуальныя спецыфікацыі - гэта ідэальнае рашэнне для нашых кліентаў па ўсім свеце.