Аксід галію

Апісанне

Аксід галію Ga₂O₃99,99%, 99,999% і 99,9999% 4N 5N 6N, белы цвёрды парашок у α- і β-фазах крышталяў, CAS 12024-21-4, малекулярная маса 187,44, тэмпература плаўлення 1740°C, нерастваральны ў вадзе, але растваральны ў большасці кіслот, гэта празрысты аксідны паўправадніковы матэрыял з выдатнымі ўласцівасцямі надзвычай вялікай шырынёй забароненай зоны, большай за 4,9 эВ, і даступнасцю высакаякасных натуральных падкладак вялікага памеру, вырабленых з вырашчаных у расплаве аб'ёмных монакрышталяў.Аксід галію Ga₂O₃мае шырокія перспектывы прымянення ў оптаэлектроннай прамысловасці, напрыклад, у якасці ізаляцыйнага пласта для паўправадніковых матэрыялаў на аснове Ga, у якасці ультрафіялетавых фільтраў, у якасці хімічных зондаў для кіслароду, ізаляцыйнага бар'ера для герметычных злучэнняў, аптычных паўправадніковых прыбораў і керамічных прылад.Аксід галію таксама выкарыстоўваецца ў святлодыёдах, люмінесцэнтным парашку, рэагенце высокай чысціні, а таксама ў лазерах і іншых люмінесцэнтных матэрыялах і г.д.

Дастаўка

Аксід галію або трыаксід галію Ga₂O₃ у крышталяграфічнай форме тыпу α або β з чысцінёй 99,99%, 99,999% і 99,9999% （4N 5N 6N） у Western Minmetals (SC) Corporation можа пастаўляцца ў памеры парашка D50 ≤ 4,0 мікрон， -80 меш （≤0,18 мікрон） або 50-100 меш (0,15-0,30 мікрона) ва ўпакоўцы па 1 кг, 2 кг у поліэтыленавай бутэльцы або па 1 кг, 2 кг, 5 кг у вакуумным алюмініевым кампазітным мяшку з кардоннай скрынкай па-за межамі 10 або 20 кг нета кожны, або ў якасці індывідуальных спецыфікацый для ідэальных рашэнняў .