Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

Арсенід кадмію Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

Апісанне

Арсенід кадмію Cd₃As₂5N 99,999%,цёмна-шэрага колеру, шчыльнасцю 6,211 г/см³, тэмпература плаўлення 721°C, малекула 487.04, CAS12006-15-4, раствараецца ў азотнай кіслаце HNO₃ і стабільнасць на паветры, з'яўляецца сінтэзаваным складаным матэрыялам высокай чысціні кадмію і мыш'яку.Арсенід кадмію з'яўляецца неарганічным паўметалам у сямействе II-V і дэманструе эфект Нернста.Крышталь арсеніду кадмію, вырашчаны метадам вырошчвання Брыджмэна, бесслоістая аб'ёмная паўметалічная структура Дырака, уяўляе сабой выроджаны паўправаднік II-V тыпу N або вузказонны паўправаднік з высокай рухомасцю носьбітаў, нізкай эфектыўнай масай і вельмі непарабалічнай праводнасцю група.Арсенід кадмію Cd₃As₂або CdAs з'яўляецца крышталічным цвёрдым рэчывам і знаходзіць усё большае прымяненне ў паўправадніках і ў фотааптычным полі, напрыклад, у інфрачырвоных дэтэктарах з выкарыстаннем эфекту Нернста, у тонкаплёнкавых датчыках дынамічнага ціску, лазерах, святлодыёдах, квантавых кропках, для вырабляюць магнітарэзістары і ў фотапрыёмніках.Арсенідныя злучэнні арсеніду GaAs, арсеніду індыя InAs і арсеніду ніобію NbAs або Nb₅As₃знайсці больш прымянення ў якасці электралітнага матэрыялу, паўправадніковага матэрыялу, QLED-дысплея, палі мікрасхем і іншых матэрыялаў.

Дастаўка

Арсенід кадмію Cd₃As₂і арсенід галію GaAs, арсенід індыю InAs і арсенід ніобію NbAs або Nb₅As₃у Western Minmetals (SC) Corporation з чысцінёй 99,99% 4N і 99,999% 5N у памеры полікрышталічнага мікрапарашка -60 меш, -80 меш, наначасціц, камякоў 1-20 мм, гранул 1-6 мм, кавалкаў, пустых, аб'ёмных крышталяў і монакрышталяў і г.д. ., або ў якасці індывідуальнай спецыфікацыі для дасягнення ідэальнага рашэння.

Запыт зараз

Дэталі

Тэгі

Тэхнічныя характарыстыкі

Арсенідныя злучэнні

Арсенідныя злучэнні у асноўным адносяцца да металічных элементаў і металаідных злучэнняў, стэхіаметрычны склад якіх змяняецца ў пэўным дыяпазоне з адукацыяй цвёрдага раствора на аснове злучэння.Інтэр-металічныя злучэння яго выдатныя ўласцівасці паміж металам і керамікай, і стаць важнай галіной новых канструкцыйных матэрыялаў.Акрамя арсеніду галію GaAs, арсеніду індыя InAs і арсеніду ніобію NbAs або Nb₅As₃таксама можа быць сінтэзаваны ў выглядзе парашка, гранул, кавалка, бруска, крышталя і падкладкі.

няма	Пункт	Стандартная спецыфікацыя
няма	Пункт	Чысціня	Прымешкі PPM Max кожны	Памер
1	Арсенід кадмію Cd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0	-60 меш -80 меш парашок, 1-20 мм камяк, 1-6 мм гранулы
2	Арсенід галію GaAs	5N 6N 7N	Склад GaAs даступны па запыце
3	Арсенід ніёбія NbAs	3N5	Склад NbAs даступны па запыце
4	Арсенід індыя InAs	5N 6N	Кампазіцыя InAs даступная па запыце
5	Ўпакоўка	500 г або 1000 г у поліэтыленавай бутэльцы або кампазіцыйным пакеце, кардонная скрынка звонку

арсенід галію

арсенід галію GaAs, злучэнне III-V паўправадніковага матэрыялу з прамой шчылінай з крышталічнай структурай цынкавай абманкі, сінтэзаваны элементамі галію і мыш'яку высокай чысціні і можа быць нарэзаны і выраблены ў пласціны і нарыхтоўкі з монакрышталічнага злітка, вырашчанага метадам вертыкальнага градыентнага замарожвання (VGF). .Дзякуючы насычаючай мабільнасці і высокай магутнасці і тэмпературнай стабільнасці, гэтыя радыёчастотныя кампаненты, мікрахвалевыя мікрасхемы і святлодыёдныя прылады, вырабленыя з яго, дасягаюць выдатных характарыстык у сваіх высокачашчынных сцэнах сувязі.Між тым, яго эфектыўнасць перадачы ультрафіялетавага святла таксама дазваляе яму быць правераным базавым матэрыялам у фотаэлектрычнай прамысловасці.Пласціна арсеніду галію GaAs у Western Minmetals (SC) Corporation можа пастаўляцца дыяметрам да 6 цаляў або 150 мм з чысцінёй 6N 7N, а таксама даступныя падкладкі механічнага класа арсеніду галію. Між тым, арсенід галію полікрышталічны брусок, кавалак і гранулы і г.д. з чысцінёй 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N, прадастаўленыя Western Minmetals (SC) Corporation, таксама даступныя або ў якасці індывідуальнай спецыфікацыі па запыце.

Арсенід індыя

Арсенід індыя InAs, прамазонны паўправаднік, які крышталізуецца ў структуры цынкавай абманкі, злучаны з элементамі індыя і мыш'яку высокай чысціні, вырашчаны метадам Чохральского ў вадкай капсуле (LEC), можа быць нарэзаны і выраблены ў пласціну з адзінкавага крышталічнага злітка.Дзякуючы нізкай шчыльнасці дыслакацый, але пастаяннай рашотцы, InAs з'яўляецца ідэальнай падкладкай для дадатковай падтрымкі гетэрагенных структур InAsSb, InAsPSb і InNAsSb або структуры звышрашоткі AlGaSb.Такім чынам, ён гуляе важную ролю ў вытворчасці інфрачырвоных выпраменьвальных прылад з дыяпазонам хваль 2-14 мкм.Акрамя таго, найвышэйшая рухомасць у Холе, але вузкая забароненая зона энергіі InAs таксама дазваляе яму стаць выдатнай падкладкай для вытворчасці кампанентаў Хола або іншых лазерных і радыяцыйных прылад.Арсенід індыя InAs у Western Minmetals (SC) Corporation з чысцінёй 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99,9999% 6N можа пастаўляцца ў падкладцы дыяметрам 2" 3" 4". Між тым, полікрышталічны арсенід індыя ў Western Minmetals (SC) ) Карпарацыя таксама даступная або ў якасці індывідуальнай спецыфікацыі па запыце.

Арсенід ніёбія

Nарсенід іобію Nb₅As₃ or NbAs,крышталічнае цвёрдае рэчыва белага або шэрага колеру, № CAS 12255-08-2, маса формулы 653,327 Nb₅As₃і 167.828 NbAs, з'яўляецца бінарным злучэннем ніобію і мыш'яку са складам NbAs, Nb5As3, NbAs4 ... і г.д., сінтэзаваны метадам CVD, гэтыя цвёрдыя солі маюць вельмі высокую энергію рашоткі і з'яўляюцца таксічнымі з-за ўласцівай таксічнасці мыш'яку.Высокотэмпературны тэрмічны аналіз паказвае, што NdAs дэманструе вылячэнне мыш'яку пры награванні. Арсенід ніёбія, паўметалаў Вейля, з'яўляецца адным з відаў паўправаднікоў і фотаэлектрычных матэрыялаў для паўправаднікоў, фотааптыкі, лазерных святловыпрамяняльных дыёдаў, квантавых кропак, аптычных датчыкаў і датчыкаў ціску, у якасці прамежкавых прадуктаў, а таксама для вырабу звышправаднікоў і г. д. Арсенід ніобію Nb₅As₃або NbAs у Western Minmetals (SC) Corporation з чысцінёй 99,99% 4N можа быць пастаўлены ў форме парашка, гранул, камякоў, мішэняў і аб'ёмных крышталяў і г.д. , сухім і прахалодным месцы.